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[发明专利]一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法-CN202310520932.8在审
发明人：高峻峰;张艳雪;常远 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G16C20/30 文献下载
摘要：本发明属于光催化和太阳能电池技术领域，具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预测方法，采用理论模拟的方法构建环境气体分子插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定构型结构优化和能量统计，筛选得到基态环境气体分子插层范德华异质结模型后；相较于未插层的范德华异质结超胞模型，对基态环境气体分子插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析，能够准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异质结光电转化性质的影响。本发明提供的预测方法具有简单，可推广的优点，适用于整个TMDC异质结家族。
一种环境气体分子调节范德华异质结光电转化性质预测方法

[发明专利]一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器-CN201810888810.3在审
发明人：黄安平;张新江 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明所述一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器，其基本结构由下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层。其中阻变功能层为黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结，且该范德华异质结中可掺入金属离子。本发明具有如下优点：本发明利用黑磷容易自然氧化成氧化磷的特点设计了BP和P₄O_x范德华异质结，将黑磷在应用中的不足变为可利用的优点。同时，利用BP和P₄O_x范德华异质结对阳离子的束缚作用和电导可变特性设计了基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器。本发明电学性能优异，且具有良好的散热性。本发明的制备方法简单，成本低，存储稳定，可使用领域广泛，有利于黑磷德华异质结忆阻器的大规模生产及产业化应用。
黑磷异质结忆阻器氧化物功能层产业化应用存储稳定底电极层电学性能顶电极层金属离子可变特性自然氧化散热性阳离子氧化磷掺入衬底电导异质制备束缚应用

[发明专利]一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法-CN202310630703.1在审
发明人：齐云飞;王汉文;韩拯;刘健鹏 -专利权人：中国科学院金属研究所;上海科技大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种构建二维范德华多铁性异质结器件的方法，以及采用该方法设计的二维范德华多铁性异质结器件。该方法以二维层状铁电材料作为铁电绝缘层，以二维层状铁磁材料作为沟道材料，以二维层状绝缘材料作为封装层，以二维层状金属材料作为栅极层和接触电极层，利用二维层状铁电材料的铁电性及二维层状铁磁材料的铁磁性，基于二维层状材料无悬挂键的特点，实现具有多铁性的二维范德华异质结器件的构建。该方法工艺简单，可以摆脱传统三维块体多铁异质结外延生长所需的晶格匹配、高温等严苛条件，能够获得性能优异、稳定可控、具有多铁性的二维范德华异质结器件。
一种构建二维范德华多铁性异质结器件方法

[发明专利]一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置-CN202111450173.X在审
发明人：叶镭;黄鑫宇;林润峰;彭追日;童磊;李政;徐浪浪;缪向水 -专利权人：华中科技大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石墨烯纳米粉所在平面，控制样品移动，在移动的过程中所述激光对样品施加面外压力，通过改变激光功率大小调整异质结的层间距，实现对交换偏置效应的调控。本发明基于范德华反铁磁/铁磁系统层间距强烈影响着层间相互作用，利用激光冲击强化工艺来控制范德华异质结构层间距，对范德华磁性异质结中的交换偏置效应进行连续可调，提升该效应的可控性。
一种调控二维反铁磁异质结交偏置方法装置

[发明专利]Ga2-CN202211053930.4在审
发明人：王湛;张尔奇;王欣媛;孙静;陈海峰;陆琴;贾一凡;刘祥泰;王少青;张霞 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明涉及宽波段光电探测器件，具体涉及Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法，用于解决现有氧化镓材料光电探测器暗电流大该Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器包括氧化镓层、二维金属型材料层，其中氧化镓层与二维金属型材料层形成水平范德华肖特基异质结/垂直范德华肖特基异质结；氧化镓层为β‑Ga2O3单晶薄膜/β‑Ga2O2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器的制备方法。
ga base sub

[发明专利]一种全金属有机框架范德华异质结层薄膜的制备方法及其所制备的薄膜和用途-CN201910684823.3有效
发明人：姚明水;徐刚;伍蔼倩 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B05D1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种全金属有机框架范德华异质结层薄膜的制备方法及其所制备的薄膜和用途。本发明采用液相外延/界面法和印章/旋涂/滴涂法可有效制备厚度可控的、同质均一的MOFs范德华异质结薄膜，该方法可无视晶格失配问题，高效地制备出不同功能、组分和结构的高质量双/多层MOFs范德华异质结薄膜
一种全金属有机框架范德华异质结层薄膜制备方法及其用途

[发明专利]一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法-CN202011410961.1有效
发明人：郭雪峰;李佩慧;贾传成;常新月 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种基于二维范德华异质结构的单分子场效应晶体管及其制备方法,属于新材料以及分子场效应晶体管领域。由导电二维材料栅电极层、绝缘二维材料介质层、基于石墨烯点电极的单分子异质结以及保护层构成，制备方法包括1)二维叠层组装；2)作为器件各组成部分的二维材料具有原子级可控平整度和厚度；3)范德华异质结构的稳定性；4)与石墨烯基单分子异质结的结合。本发明通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构。使得器件的介质层和栅极达到原子级平整并且原子层可控，实现单分子场效应晶体器件的精准控制制备，而使用六方氮化硼或氮化镓作为保护层对器件进行封装，大大减小了外界环境对器件的干扰，提高了器件的稳定性。
一种基于二维范德华异质结构分子场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于电场实现非易失磁存储的自旋电子器-CN202310594754.3在审
发明人：王冰;张云庚;金超 -专利权人：河南大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：一种基于电场实现非易失磁存储的自旋电子器，包括由二维单层In2Se3与二维单层FeCl2构成的双分子层范德华多铁异质结，通过电场方向实现双分子层二维FeCl2/In2Se3异质结中磁结构、磁各向异性和净磁化强度的三重调控，范德华多铁异质结只在自旋向下通道中导电，可以实现对载流子通道的稳定滤波。双分子层FeCl2/In2Se3范德华多铁异质结中，FeCl
一种基于电场实现非易失磁存储自旋电子

[发明专利]一种范德华异质结负折射聚焦器件-CN202210085143.1在审
发明人：戴庆;胡海;陈娜;滕汉超 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种范德华异质结负折射聚焦器件，包括由下至上依次设置的基底层、氧化钼层和石墨烯层；金属天线设置在氧化钼层上以及石墨烯层上；氧化钼层和石墨烯层构成石墨烯氧化钼范德华异质结。本发明通过基于氧化钼和石墨烯的范德华异质结来实现深亚波长负折射。无需复杂的微纳加工过程，能够有效避免反射和散射损耗。
一种范德华异质结负折射聚焦器件

[发明专利]一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法-CN202210684258.2在审
发明人：高力波;周振佳;徐洁;付梓豪 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法，该方法通过精确控制反应温度以及每一步的反应产物，实现逐层生长，制备出晶圆级、多层数、多种类的高质量范德华异质结薄膜。本发明所制备出的范德华异质结薄膜尺寸可达晶圆级，并可实现图案化生长，对于规模化的生产应用具有重要意义，多种类范德华异质结薄膜材料的成功制备，为光电器件、自旋量子器件等领域的发展提供了材料制备技术支持。
一种生长多层二维材料范德华异质结方法

[发明专利]双色光电探测器及其制备方法-CN201910800279.4有效
发明人：张晓东;张凯;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明揭示了一种双色光电探测器及其制备方法，所述双色光电探测器包括衬底、位于衬底上的pn异质结、及位于pn异质结上的电极，所述pn异质结包括位于衬底上的n型半导体层及位于n型半导体层上的p型半导体层，所述电极包括与n型半导体层电连接的第一电极及与p型半导体层电连接的第二电极，n型半导体层和p型半导体层通过范德华力形成pn异质结。本发明的双色光电探测器采用n型材料和p型材料通过范德华力形成pn异质结，优选地采用BP二维材料和β‑Ga2O3材料通过范德华力形成BP/β‑Ga2O3异质结，p型的BP材料进行中红外探测，n型的β‑Ga2O
色光探测器及其制备方法

[发明专利]一种范德华异质结及其制备方法、阳极材料、场效应管-CN201910761581.3在审
发明人：施建章;陈奕恺;王梦华;任盼 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料技术领域，公开了一种范德华异质结及其制备方法、阳极材料、场效应管，所述范德华异质结由二硫化铪和二硫化钼复合而成。该异质结的合成步骤为：用化学气相沉积法在SiO
异质结制备场效应管二硫化钼硫化衬底半导体场效应管高分子材料技术二硫化钼薄膜化学气相沉积载流子迁移率表面活性光电催化合成步骤阳极材料制备过程分解水高纯度可控的禁带异质污染物复合生长

[发明专利]一种波导集成型光电探测器及其制备方法-CN202310910166.6在审
发明人：唐颖;王磊;曹子峥;贺志学 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：所述波导集成型光电探测器包括波导和范德华异质结；所述范德华异质结包括设置在所述波导一侧的p型二维半导体层、以及设置在所述p型二维半导体层背对所述波导一侧的n型二维半导体层。本发明中，电子和空穴的流动会在范德华异质结界面处形成电势突变而产生内建电场，该内建电场可作为无光照下器件中自由载流子运动的势垒，减小暗电流；同时也可加快光生载流子的分离，提升载流子提取率，进而提升光响应度和光响应速率
一种波导集成光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种范德瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法-CN202210920365.0在审
发明人：王芳;代福兴;胡伟达;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种范德瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括：全耗尽范德华异质结；所述全耗尽范德华异质结包括从下到上依次设置的第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层。本发明通过包括第一n型二维半导体层、p型二维半导体层和第二n型二维半导体层的三明治结构以形成全耗尽内置电场，实现在降低器件暗电流的同时提升光吸收效率，并且加快光生载流子分离速率和收集效率。
一种瓦尔斯异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种C3-CN202210766155.0在审
发明人：宋宏甲;刘露;管小鹏;钟向丽;王金斌 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种C3N/MoS2范德华尔斯异质结复合材料，所述范德华尔斯异质结复合材料为多层的MoS2和多层的C3N交替插层复合而得，所述范德华尔斯异质结复合材料中，C3N中的一半N原子处于Mo本发明所提供的上述结构的范德华尔斯异质结复合材料，杨氏模量大，面内刚度大，可获得较优异的循环稳定性；复合材料为金属能带结构，导电性好；锂离子扩散势垒低，最大比容量可达673mA h g
一种 base sub

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